IBM ve Samsung, yarı iletken tasarımındaki son ilerlemelerini duyurdu. İki şirket, transistörleri bir çip üzerinde yatay yerine dikey olarak yerleştirmenin bir yolunu buldu.
Yeni Dikey Aktarım Alan Etkili Transistörler (VTFET) ismi verilen bu tasarım, günümüz işlemcilerine kıyasla işlemcilerin içerisine daha fazla transistör yerleştirilmesine izin veriyor.
Bu tasarımla birlikte, transistörler dikey olarak istiflenecek ve şu anda çoğu çipte kullanılan yan yana yatay düzen yerine, akım transistörler arasında yukarı ve aşağı akabilecek.
İKİ KAT DAHA İYİ PERFORMANS
IBM ve Samsung, yeni tasarımın performansta iki kat iyileştirme ve enerji kullanımında yüzde 85 azalma sağlayabileceğini iddia etti.
ŞARJ ÖMRÜ 1 HAFTAYI AŞABİLİR
Her ne kadar bu teknoloji yakın bir zamanda kullanıma sunulmayacak . IBM ve Samsung, yeni tasarım sayesinde yongalara daha fazla transistör sığdırarak, akıllı telefonların şarj ömürlerinin 1 haftayı aşabileceğini iddia ediyor.
Her iki şirketten, bu teknolojinin ne zaman ticarileştirileceğine dair henüz bir açıklama gelmedi
About The Author
Leave feedback about this